Аннотация:
Теория протекания привлечена для вычисления ионной
проводимости поликристаллической пленки. Показано, что кинетику
электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации определяет
зависящая от степени структурного совершенства пленки энергия активации
миграции ионов. Получено выражение для предэкспоненциального множителя
коэффициента диффузии. В субмикронных пленках обнаружено
возрастание энергии активации за счет изменения топологии
«путей протекания» ионов. Экспериментальные данные по
времени наработки удовлетворительно согласуются с развитыми представлениями.