Аннотация:
Проведено исследование взаимодействия релятивистских
электронов с тонкими монокристаллами в приближении непрерывного потенциала
системы кристаллических плоскостей. Разработана численная методика решения
одномерного уравнения Шредингера с периодическим потенциалом. На основе
численных расчетов, проведенных по этой методике, определены формы угловых
распределений электронов, находящихся в различных зонах поперечного движения.
Результаты расчетов были применены для анализа экспериментально полученных
данных по угловым распределениям электронов энергии 5.1 МэВ, бросаемых
под малыми углами к системе плоскостей (110) монокристалла Si. Проведенные
комплексные экспериментальные и теоретические исследования, с одной стороны,
показали возможность преимущественного заселения определенных состояний
поперечного движения, а с другой — позволили определить угловые области
в направлениях бросания пучка электронов на кристалл,
где важны или эффекты каналирования, или дифракции электронов.