Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа AlGaAs гетерофотоэлементов

Разработан сканирующий световой микроскоп, позволяющий исследовать картину распределения фотоответа по поверхности структур с разрешением 50 мкм при возможности изменения спектрального состава светового зонда. С помощью данного метода выполнены исследования AlGaAs гетероструктур с переходными слоями, возникающими при замене расплавов на подложке из GaAs, и показана возможность воспроизводимой кристаллизации слоев переменного состава толщиной ${\sim0.1}$ мкм. В фотоэлементах на основе таких структур за счет создания сильного тянущего электрического поля градиента ширины запрещенной зоны (${\sim5\cdot10^{4}}$ В/см) получена высокая фоточувствительность в коротковолновой (синей) области спектра и при неоптимальном просветляющем покрытии на образцах площадью более 1 см$^{2}$ достигнут КПД, равный 16% (AMО).