Радиационное окрашивание монокристаллов нестехиометрических фаз M$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ с дефектной структурой типа флюорита

Исследованы закономерности радиационного окрашивания монокристаллов нестехиометрических фаз M$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ (М — Са, Sr, Ва; R — Y и лантаноиды; ${x=0.1\div0.3}$ — мольная доля RF$_{3}$) с дефектной структурой типа флюорита под действием $\gamma$-облучения. Результаты сравниваются с аналогичными данными по монокристаллам MF$_{2}{-}$RF$_{3}$, где концентрация RF$_{3}$ не превышает 1 мол.%. Установлено, что закономерности радиационного окрашивания систем M$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ и MF$_{2}{-}$RF$_{3}$ заметно отличаются. Так, в монокристаллах Ca$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ и Sr$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ происходит образование центров типа $F$ при 300 K и отсутствуют процессы образования таких центров после облучения при 77 K, в то время как для слаболегированных монокристаллов простые центры типа $F$ образуются при низких температурах. При 77 K в монокристаллах Ca$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ и Sr$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ образуются сложные электронные центры окраски, интенсивность проявления которых зависит от конкурентоспособности в процессах захвата электронов конкретного R$^{3+}$. Для радиационного окрашивания монокристаллов Ba$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ характерно образование ряда универсальных сложных электронных центров окраски как при 300, так и при 77 K. Показано, что отличающийся от слаболегированных образцов MF$_{2}{-}$RF$_{3}$ характер радиационного окрашивания M$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ обусловлен структурными особенностями последних.