RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1985, том 55, выпуск 10, страницы 1967–1972 (Mi jtf1477)

Квантовая электроника

Особенности периодических структур, индуцированных в тонких пленках AgCl$-$Ag при наклонном падении поляризованного лазерного излучения

В. Б. Блоха, Л. А. Агеев, В. К. Милославский

Харьковский государственный университет им. А. М. Горького

Аннотация: При облучении одномодовых пленок AgCl$-$Ag лазерным светом при наклонном падении возникают периодические структуры (ПС), строение и параметры которых зависят от угла падения $\varphi$ и ориентации плоскости поляризации относительно плоскости падения. При $P$-поляризации ($E_{0}$ в плоскости падения $Zx$, ось ${z\perp{}}$ к поверхности пленки) формируются ПС двух типов (I и II), проявление которых зависит от толщины пленки $h$. При ${h\simeq h_{m}}$ ($h_{m}$— соответствует отсечке $TE_{m}$-моды) преобладают ПС I типа со штрихами ${{}\parallel x}$; при $h$, заметно отличающихся от $h_{m}$, — ПС II типа, штрихи в которых наклонены под углом $\pm\alpha$ к оси $x$ и образуют зигзагообразную решетку. При $S$-поляризации (${E_{0}\parallel y}$) возникают ПС со штрихами, $\parallelE_{0}$ и состоящие из микрорешеток с двумя различными периодами. Показано, что ПС являются результатом интерференции $TE_{m}$-волноводных мод, возбуждаемых в пленке AgCl$-$Ag из-за рассеяния на дефектах, с падающим излучением. Выведены формулы, устанавливающие зависимость параметра ПС от $\varphi$ и $\alpha$ и направление моды при заданных $\varphi$ и $\alpha$. Показано, что ПС I типа возникают при условии ${\beta_{x}=k_{x}}$, II типа — ${\beta_{x}=0}$, где $\beta_{x}$ и $k_{x}$ — проекции волнового вектора моды и падающего излучения. Предполагается связь ПС I и II типа с возбуждением мод поверхностными линейными дефектами и объемными точечными дефектами соответственно. По дифракции света от ПС измерена угловая зависимость их параметров, хорошо согласующаяся с расчетной.

УДК: 621.378.325

Поступила в редакцию: 11.07.1984



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024