Аннотация:
Выполнены электрофизические, фотоэлектрические,
электрооптические и металлографические исследования эффекта радиационного
упорядочения в многослойных гомоэпитаксиальных структурах
$n^{+{-}n{-}n^{++}$-GaAs}, находящихся в контакте с металлом
(Au, Sn, Сr, Pt). Установлено, что этот эффект, проявляющийся в возрастании
подвижностей носителей заряда и их времени жизни вследствие ослабления
безызлучательной рекомбинации, наиболее отчетливо выражен в тонких
приповерхностных $n^{+}$-слоях и имеет место лишь в несовершенных структурах
с большой плотностью трехмерных дефектов («куполов»).
Экспериментальные особенности эффекта радиационного упорядочения указывают
на структурно-примесные превращения в приповерхностной области
$n^{+$-GaAs} под воздействием проникающей радиации. Предполагается,
что природа этих превращений состоит во взаимодействии примесей и первичных
дефектов, приводящем к образованию нейтральных комплексов. Усиление эффекта
поверхностью объясняется планарным геттерированием дефектов, при котором
происходит перемещение их вдоль поверхности.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 08.05.1984 Исправленный вариант: 06.08.1984