Аннотация:
Теоретически исследуется пробой слоя диэлектрика
или полупроводника, связанный с развитием тепловой неустойчивости
под действием движущегося концентрированного источника энергии,
инициированного электрическим током или электромагнитным излучением.
Показано, что порог пробоя возрастает с увеличением скорости движения
источника и установлена зависимость критической плотности мощности от объема
тепловыделения, скорости, толщины слоя, свойств вещества слоя и окружающей
среды. Получены предельные зависимости критической плотности мощности
при различных соотношениях геометрических факторов и теплофизических
параметров при малых и больших скоростях движения источника. Определена
теплоотдача слоя. Показано, что при больших скоростях порог пробоя зависит
только от свойств слоя среды и скорости движения. Приводятся оценки порогов
развития тепловой неустойчивости, инициированной движущимся источником,
при объемном оптическом пробое полупроводника.
Поступила в редакцию: 03.02.1984 Исправленный вариант: 18.12.1984