Краткие сообщения

Определение локальных температур в светоизлучающих структурах на основе GaAlAs

С. В. Свечников, Г. А. Сукач, Е. И. Сыпко, В. В. Николаенко

Институт полупроводников АН УССР, Киев

УДК: 535.376.2

Поступила в редакцию: 07.01.1985

Реферативные базы данных:

•