О динамике обедненной области в полупроводнике с ионизованной примесью

Рассмотрено в бездиффузионном приближении поведение плоских полупроводниковых структур с обедненной областью при переменном напряжении «обратной» полярности с учетом инерционности распределения заряда свободных носителей. Показано, что в нестационарных условиях сохраняется резкая граница между нейтральной и обедненной областями, получено уравнение движения границы, решаемое элементарно при «скачкообразных» изменениях напряжения и через функции Матье — при напряжении вида ${A+B \sin (\omega t+\gamma)}$. Рассмотрено линеаризованное «малосигнальное» приближение, определены, в частности, собственное время структуры и частотная зависимость емкости. Для МДП структур и неидеальных контактов Шоттки введены учет конечной толщины диэлектрика и учет заряда на его границе с полупроводником.