Аннотация:
При вводе высокочастотной мощности в плазму в диапазонах
частот ${\omega\lesssim\omega_{Bi}}$,
${\omega_{Bi}\lesssim\omega\ll\omega_{LH}}$
($\omega_{Bi}$ — ионная циклотронная частота,
$\omega_{LH}$ — нижняя гибридная частота) для целей нагрева или удержания
плазмы к элементам связи (петли, катушки и т. п.) прикладывается
переменное напряжение. В этих условиях на границе плазмы могут возбуждаться
электростатические колебания особого типа — так называемые ионные
поляризационные колебания. Эти колебания обусловлены смещением ионов
относительно замагниченных электронов в граничном слое плазмы под действием
поперечного электрического поля накачки. Теоретически и экспериментально
показано, что в зависимости от плотности плазмы и амплитуды возмущающего
напряжения возбуждаются либо колебания потенциала с частотой, близкой
к ленгмюровской частоте ионов в граничном слое, либо уединенный импульс
потенциала, длительность которого
значительно меньше характерного времени возмущения.