Перераспределение заряженной примеси в полупроводнике в условиях протонно-стимулированной диффузии

Выполнен анализ распределения диффундирующей примеси в полупроводнике в условиях протонно-стимулированной диффузии (ПСД). Рассмотрена модель ПСД, учитывающая образование в процессе протонной бомбардировки избыточных вакансий, увеличивающих коэффициент диффузии примесей, возникновение комплексов примесей с радиационными дефектами в районе конца пробега бомбардирующих частиц, где концентрация дефектов максимальна, и электростатическое взаимодействие этих комплексов с диффундирующей примесью. Показано, что учет электростатического взаимодействия радиационных дефектов и примеси в невырожденном полупроводнике позволяет объяснить экспериментально наблюдаемые концентрационные профили распределения примеси.