Исследование диффузии цинка из газовой фазы в твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

Исследована зависимость глубины диффузии цинка $h$ в Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As от состава твердого раствора $x$. Обнаружено отсутствие зависимости $h(x)$ при ${x<0.14}$. Также обнаружено отсутствие зависимости $h$ от типа проводимости слоя Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As от концентрации носителей в этом слое в диапазоне ${10^{16}{-}10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ и от величины упругих напряжений в диапазоне ${0.8{-}1.5\cdot10^{9}\,\text{дин/см}^{2}}$. На наблюдаемые зависимости глубины диффузии от состава, а также на разброс экспериментальных точек в зависимости $h(x)$ при ${x> 0.7}$ существенное влияние может оказывать состояние поверхности, в том числе наличие окисных пленок.