Измерение локальной толщины кристаллов и получение профилей распределения дефектов по глубине и ионно-легированных слоях кремния методом электронной микроскопии

Метод трансмиссионной электронной микроскопии применяется для получения профиля распределения дефектов по глубине образца. Подробно рассмотрены следующие моменты: измерение локальной толщины кристалла, получение экспериментальной кривой интегрального распределения дефектов, переход к пространственному распределению дефектов в образце. В качестве иллюстрации применимости метода приводятся данные об изучении дефектов в виде дислокационных петель, возникающих после низкотемпературного (${< 900^{\circ}}$С) отжига ионно-легированных слоев кремния. Положение максимума в концентрационном профиле дефектов, определенное методом трансмиссионной электронной микроскопии, хорошо согласуется с местонахождением пика в распределении радиационных дефектов в кремнии после облучения ионами бора [5].