RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1984, том 54, выпуск 8, страницы 1512–1520 (Mi jtf1910)

Плазма

Развитие неустойчивости в диоде Пирса вдали от порога возбуждения

И. Н. Колышкин, В. И. Кузнецов, А. Я. Эндер

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Проведено исследование устойчивости диода Пирса. Обнаружено, что в таком диоде наряду с апериодической может развиваться и периодическая неустойчивость. Показано, что движение ионов приводит к развитию в диоде наряду с неустойчивостью Пирса также и неустойчивости Бунемана, которая при достаточно больших величинах межэлектродного зазора становится определяющей.

УДК: 537.521

Поступила в редакцию: 27.09.1983



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024