RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1983, том 53, выпуск 1, страницы 114–117 (Mi jtf2138)

Квантовая электроника

О тонкой структуре максимума дифракции света на объемной голограмме в Bi$_{12}$SiO$_{20}$

Т. Г. Пенчева, С. И. Степанов, С. В. Миридонов


Аннотация: Теоретически и экспериментально проанализированы аномальные селективные свойства объемных фазовых голограмм в двупреломляющих фоторефрактивных кристаллах типа LiNbO$_{3}$, а также тонкая структура брэгговского максимума в кубических, оптически активных кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$. Указанные особенности должны учитываться при исследовании механизмов записи в фоторефрактивных кристаллах. Кроме того, они могут быть использованы при разработке новых дисперсионных голографических элементов.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024