Расчеты времен оже-процессов в твердых растворах $p$-InGaAsP

Рассчитаны времена межзонной и примесной оже-рекомбинаций для ряда твердых растворов $p$-InGaAsP, изорешеточных с подложкой InP. На основании сопоставления времен безызлучательных переходов с расчетными временами излучательных переходов для этих твердых растворов с различным уровнем легирования акцепторами получены зависимости внутреннего квантового выхода от состава, температуры и концентрации дырок. Установлено, что в узкозонных твердых растворах InGaAsP оезызлучательная оже-рекомбинация может уменьшать внутренний квантовый выход люминесценции уже начиная с концентрации дырок ${p=10^{17}\,\text{см}^{-3}}$. Проведено сопоставление с экспериментальными результатами по зависимости эффективности излучения от концентрации дырок для твердого раствора In$_{0.73}$Ga$_{0.27}$As$_{0.60}$P$_{0.40}$, легированного цинком.