Аннотация:
Рассмотрено распределение температуры в кристаллизационной
системе с учетом влияния границ раздела источника и подложки с электродами
и с учетом типа проводимости материала источника и подложки. Показано, что
температурное распределение в этом случае имеет некоторые особенности,
которые приводят к изменению в значении стационарной скорости роста пленки.