Электроуправляемые светочувствительные структуры на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников

Представлены результаты экспериментального исследования процесса записи изображения на электроуправляемых тонкослойных структурах халькогенидный стеклообразный полупроводник–металл. Показано, что светочувствительность структур определяется величиной электрического поля, интенсивностью падающего излучения и толщиной металлического покрытия. Наблюдаемый пороговый характер зависимости светочувствительности от приложенного напряжения и отклонение от закона взаимозаместимости в области больших интенсивностей падающего света интерпретируются в рамках модели, предполагающей перенос вещества ионными носителями тока через потенциальный барьер на границе халькогенидный стеклообразный полупроводник–металл.