Влияние поглощения света на распределение электрических полей в Bi$_{12}$SiO$_{20}$

Рассматриваются процессы перераспределения электрического заряда и поля под действием записывающего света и приложенного внешнего потенциала в фоторефрактивных кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$, используемых в качестве активных элементов в модуляторах ПРОМ и ПРИЗ. Показано, что характер перераспределения поля зависит от степени поглощения записывающего света. Приведена теория, описывающая перераспределение электрического поля и заряда в условиях, когда поглощение существенно.