О возможности улучшения параметров мощных быстродействующих кремниевых приборов, подвергнутых облучению $\gamma$-квантами Co$^{60}$

Сообщается о возможности улучшения параметров мощных быстродействующих Si приборов, заключающейся в том, что $\gamma$-облученные Si $p{-}n$ переходы подвергаются режиму термообработки, в результате которой радиационный дефект, вызывающий рост генерационного тока, отжигается, а концентрация РД, контролирующего время жизни носителей, остается без изменения.