RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1983, том 53, выпуск 8, страницы 1530–1535 (Mi jtf2486)

Квантовая электроника

Об одной возможности улучшения энергетических параметров лазеров на иттербий-эрбиевом стекле с ламповой накачкой

А. Ю. Ананьев, В. А. Фромзель


Аннотация: Экспериментально исследованы оптимальные условия для получения максимальных энергетических параметров свободной генерации на переходе ${}^{4}I_{13/3}{-}{}^{4}I_{15/2}$ ионов Ег$^{3+}$ (длина волны ${\lambda=1.54}$ мкм) в лазерах на иттербий-эрбиевом стекле. Показано, что учет спектроскопических особенностей иттербий-эрбиевых стекол и использование наиболее энергетически выгодных для этих стекол режимов работы ламп позволяют существенно повысить КПД генерации этих лазеров до 0.7% при оптимальной длительности импульса накачки ${(8\div10)\cdot10^{-3}}$ с и электрических энергиях накачки 800$-$1000 Дж.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024