Кинетика кристаллизации GaAs из расплава при наложении электрического тока

Воздействие электрического тока на границу кристалл–расплав в процессе выращивания монокристаллов может дать возможность управления процессами роста и легирования объемных кристаллов. В настоящей работе, рассмотрено влияние электрического тока на скорость роста, в частности воздействие импульсов тока и кинетика движения границы тв$-$ж при включении или выключении тока. Решена нестационарная задача теплопроводности для расплава и кристалла с учетом перемещения границы тв$-$ж. Сопоставление экспериментальных и расчетных данных показывает, что выбранная в работе модель электрокристаллизации вполне удовлетворительно описывает воздействие электрического тока на рост монокристаллов методом направленной кристаллизации.