Релаксация возбужденных квазистационарных состояний как возможный источник экзоэлектронной эмиссии полупроводников

Рассматривается механизм экзоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводников, у которых сродство электрона к кристаллу $\chi$ больше ширины запрещенной зоны $E_{g}$, в предположении существования в зоне проводимости узких квазистационарных уровней. Получено решение уравнения распада квазистационарных состояний при линейном нагревании полупроводника. Проведенное рассмотрение свидетельствует о том, что основные закономерности экзоэлектронной эмиссии полупроводников, у которых ${E_{g}<\chi}$ можно объяснить захватом электронов на квазистационарные уровни при возбуждении экзоэмиссии и последующим распадом квазистационарных состояний.