Электрон-ионная рекомбинация на следах электронов в сжатом ксеноне

Показано, что следы электронов с энергией 0.1$-$1.7 МэВ в сжатом ксеноне представляют собой совокупность сгустков ионизации, образованных дельта-электронами, имеющих положительно заряженное ядро (ионный остов), окруженное электронным облаком. Для описания рекомбинации в таких сгустках использован модифицированный формализм Онзагера. Приведены зависимости рекомбинационного коэффициента от плотности ксенона, энергии гамма-излучения, концентрации водорода. Показано, что при плотностях более 0.6 г/см$^{3}$ рекомбинационные процессы в сгустках могут определять энергетическое разрешение гамма-спектрометров на основе сжатого ксенона.