Комптоновское рассеяние в условиях дифракции рентгеновских лучей как метод исследования электронной структуры кристаллов

Построена динамическая теория комптоновского рассеяния (КР) рентгеновских лучей в совершенных монокристаллах, учитывающая когерентное рассеяние как внешнего, так и неупруго рассеянного излучения. Получены общие выражения для спектральной интенсивности когерентного КР в геометриях Брэгга и Лауэ. На основе блоховского формализма рассмотрены парциальные сечения когерентного КР. Обсуждается влияние интерференционного сечения КР и геометрии рассеяния на кривые выхода комптоновских квантов. Показано, что в резко асимметричных схемах дифракции значительно возрастает чувствительность кривых выхода когерентного КР к распределению электронной плотности. Комптоновское рассеяние в условиях дифракции может эффективно использоваться как новый метод анализа электронной структуры кристаллов.