Аннотация:
Представлены некоторые результаты исследования
влияния внешней оптической обратной связи на падение напряжения
в инжекционных лазерах на основе Ga$-$Al$-$As. Получено, что для этих
лазеров характерным является уменьшение напряжения при введении внешней
связи на величину порядка 1 мВ. Однако в серии лазеров, излучающих
в области спектра 0.76 мкм, обнаружено необычно большее увеличение
падения напряжения до 25 мВ. Эффект объясняется присутствием
большого тока утечки электронов из активной области лазера.