Динамические двойные слои в сильноточных плазменных диодах

Экспериментально исследуются особенности формирования и поведения динамических двойных слоев (ДС) в сильноточных (${I_{p}\sim1\div20}$ кА) протяженных (${l\sim100}$ см) плазменных (${n\sim10^{12}\div5\cdot10^{13}\,\text{см}^{-3}}$) диодах при низком давлении газа (${p\sim10^{-5}\div10^{-3}}$ Тор) в однородном магнитном поле. Установлено существование двух типов ДС: $K$- и $M$-слоя, поддерживаемых различными физическими процессами. Показано, что в условиях, когда плазма не заполняет все сечение диода, ДС помимо тока формирования $I_{k}$ характеризуется еще дополнительными токовыми параметрами $I_{1-4}$. Выявлены физическое различие между $K$- и $M$-слоями и причины появления дополнительных токовых параметров. Показано, что пространственной локализацией и параметрами ДС (током, падением потенциала и длительностью существования) можно управлять.