Некогерентное рассеяние каналированных электронов

Анализируется некогерентное взаимодействие релятивистских каналированных электронов с элементарными возбуждениями кристаллической решетки. Выявлены новые особенности ширины уровней поперечного движения при осевом каналировании. Рассчитаны спектральные плотности излучения электронов с энергией 4 и 21 МэВ, каналирующих в кристалле кремния вдоль оси $\langle111\rangle$. Проведено сравнение с экспериментальными данными.