Автоколебания и автоволны при взаимодействии мод в активном бистабильном полупроводниковом резонаторе

В двухмодовом приближении показано, что в оптически бистабильном полупроводниковом резонаторе возможны высокочастотные (${\omega\sim10^{9}\div10^{10}\,\text{с}^{-1}}$) автоколебания концентрации свободных носителей заряда и оптических характеристик. Автоколебания возникают вследствие взаимодействия конкурирующих мод: моды, возбуждаемой внешней волной, и лазерной моды, генерируемой в полупроводнике, по отношению к которой первая мода играет роль оптической накачки. Учет амбиполярной диффузии частиц поперек направления распространения внешней волны приводит к возможности существования в системе бегущих концентрационно-оптических импульсов нейристорного типа. Аналогичные импульсы возможны в инжекционных лазерах с дополнительными зеркалами вдоль инжектирующего электрода.