Использование эффекта переключения в неупорядоченных полупроводниках
для формирования пикосекундных перепадов электрического напряжения
С. Балявичюс, А. Тамашявичюс, А. Пошкус, Н. Шикторов, Э. Бабянскас
Аннотация:
Экспериментально в неупорядоченных пленках
In$_{x}$Te$_{1-x}$, Ga$_{x}$Te$_{1-x}$, Ge$_{x}$Te$_{1-x}$ и
Si$_{x}$Te$_{1-x}$ изучен эффект переключения,
в результате которого формируется перепад электрического
напряжения длительностью в несколько десятков пикосекунд. Установлены факторы,
влияющие на длительность этого перепада. В схеме обострителя, используя
в качестве механизма переключения процесс ударной ионизации, проведен
анализ параметров сформированного импульса.