Аннотация:
Тонкие пленки состава (К, Na)NbO$_{3}$ были получены ВЧ катодным
распылением, «вписывающимся» в технологию микроэлектроники
и интегральной оптики. Монофазные пленки с достаточно четко выраженными
сегнетоэлектрическими свойствами (структурные фазовые переходы,
диэлектрические аномалии, петли диэлектрического гистерезиса, домены)
образовывались в широких интервалах варьирования условий формирования. Впервые зарегистрированы изменения структуры при фазовых переходах
в поликристаллических сегнетоэлектрических пленках. Установлено, что отсутствие расщепления рефлексов на рентгеновских
дифрактограммах поликристаллических сегнетоэлектрических пленок является
следствием формирования своеобразной доменной текстуры из-за действия
со стороны подложек механических напряжений.