Инверсия знака фототока в поляриметрических структурах из CdSiAs$_{2}$ и CdGeP$_{2}$

Экспериментально исследовано явление инверсии знака фототока в структурах $n{-}p$-CdSiAs$_{2}$ и Сu${-n$-CdGeP$_{2}{-}$Сu} в зависимости от напряжения смещения при освещении естественным и линейно поляризованным излучением. Показано, что энергетическое положение точки инверсии знака фототока определяется геометрией освещения структур и контролируется величиной напряжения смещения. Установлен эффект резкого нарастания коэффициента естественного фотоплеохроизма в изученных структурах при обеспечении в них условий инверсии знака фототока.