Доменная структура сверхпроводящих пленок в состоянии андерсоновской локализации

Исследованы резистивные и нормальные домены сверхпроводящих пленок в состоянии слабой андерсоновской локализации. Впервые осуществлено прямое визуальное наблюдение за ними, которое становится возможным вследствие развития в окружающем жидком гелии режимов пузырькового и пленочного кипения. Режим пузырькового кипения в условиях слабого избыточного давления паров над гелиевой ванной обладает высокой чувствительностью и позволяет регистрировать резистивные домены с температурой перегрева в центре по крайней мере в 0.01 K. Изучена структура доменов на разных этапах их формирования, получены и проанализированы их вольт-амперные характеристики. Исследована динамика резистивных и нормальных доменов: процесс их роста, движение под действием различных сил, условия генерации, стабилизации и взаимодействия с дефектами структуры. Проведено теоретическое описание движения нормальных доменов под действием архимедовой силы.