Переходные слои в гетероструктурах AlGaAs/GaAs, выращиваемых путем контактной смены растворов

Теоретически и экспериментально исследован метод смены растворов над подложкой арсенида галлия путем выталкивания раствора Ga$-$As жидкой фазой Аl$-$Ga$-$As в процессе жидкофазной эпитаксии гетероструктуры GaAlAs/GaAs. Показано, что одним из основных факторов, влияющих на начальные стадии роста пленки AlGaAs, является опережающая диффузия алюминия в оставшийся после смены растворов тонкий слой жидкой фазы Ga$-$As (по сравнению с уходом из этого слоя избыточного мышьяка) вследствие соотношения $D_{\text{Al}}>D_{\text{As}}$ ($D$ — коэффициент диффузии элемента в жидкой фазе Аl$-$Ga$-$As). В результате в слое остаточного раствора Ga$-$As возникает существенное пересыщение, определяющее кинетику образования переходных слоев в гетероструктуре AlGaAs/GaAs. При интенсивной смене растворов переходные слои в этой гетероструктуре были получены такой же величины, как и при обычной технологии жидкофазной эпитаксии, — менее 20 нм.