Торцевые InGaAsP/InP светодиоды на длину волны ${\lambda=1.5}$ мкм

Исследованы характеристики торцевых InGaAsP/InP светодиодов в зависимости от внутренней эффективности гетероструктуры и геометрического фактора ${a=L/nD}$, где $L$ — длина диода в направлении вывода излучения, $n$ и $D$ — показатель преломления и толщина подложки. Показано, что экспериментальные значения яркости и квантового выхода «длинных» диодов с ${a>a_{0}(\eta_{i})}$ превышают теоретические значения, рассчитанные в модели «прямого» вывода излучения без учета эффектов многопроходности в подложке. Наблюдаемые зависимости объяснены влиянием эффектов отражения от контактов и переизлучения на характеристики » длинных\glqq торцевых InGaAsP/InP светодиодов. Сделан вывод о возможности повышения эффективности торцевого вывода путем оптимизации размеров излучающего кристалла.