Оптимизация направленных ответвителей на основе полосковых оптических волноводов для интегрально-оптических переключателей и коммутаторов

Проведена оптимизация параметров направленных ответвителей на основе полосковых оптических волноводов, сформированных на базовой многослойной эпитаксиальной волноводной структуре на основе полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, таких как GaAs и твердые растворы GaAs$_{1-x}$P$_{x}$, для интегрально-оптических переключателей и коммутаторов для световодных систем связи. Определены оптимальные параметры (толщина и ширина) полоскового волновода, расстояние между полосковыми волноводами и состав и толщина слоев базовой волноводной структуры, обеспечивающие заданный уровень перекрестной помехи, минимальное управляющее напряжение переключателя и эффективную торцевую стыковку полоскового волновода с одномодовыми волоконными световодами. Показано, что на основе рассматриваемых полосковых оптических волноводов могут быть созданы переключатели $2\times 2$ канала с уровнем перекрестных помех ниже $-30$ дБ на длине волны 1.3 мкм и поляризационно нечувствительные направленные ответвители.