Исследования электронной подсистемы оксидных сегнетоэлектриков
методом вторичной электронной эмиссии
Ю. Я. Томашпольский, М. А. Севостьянов, Н. В. Садовская, Н. В. Колганова
Аннотация:
Разработан и теоретически
обоснован метод анализа электронной структуры,
электрофизических и физико-химических параметров оксидных сегнетоэлектриков с
помощью вторично-электронной эмиссии в растровом электронном микроскопе.
Проведенные исследования кристаллов SrTiO$_{3}$, BaTiO$_{3}$,
KNbO$_{3}$ показали хорошее
согласие измеренных значений $\Delta E$, $T_{C}$,
$\lambda/C$, $T_{0}$ с литературными данными либо с
величинами, полученными другими методами.