Особенности электрической проводимости горячепрессованной сегнетокерамики

Исследованы электрическая проводимость $\gamma$ и диэлектрическая проницаемость $\varepsilon$ диэлектрической и полупроводниковой (легированной самарием) керамик ВаTiO$_{3}$, полученных горячим прессованием. В тетрагональной сегнетоэлектрической фазе обнаружена анизотропия значений $\varepsilon$ и $\gamma$, измеренных в направлениях, параллельном и перпендикулярном направлению приложения давления при обжиге. Значения $\gamma$ полупроводниковой керамики BaTiO$_{3}$ : Sm ниже, а наклон $\gamma(T)$ выше области положительного температурного коэффициента сопротивления — существенно больше, чем у керамики того же состава, полученной обычным обжигом. Особенности электрофизических свойств горячепрессованных сегнетокерамик объясняются наличием больших остаточных механических напряжений, влияющих на пространственное распределение осей сегнетоэлектрических доменов, и частичным распадом твердых растворов (Ва, Sm)TiO$_{3}$ при горячем прессовании, приводящем к неоднородному распределению доноров по объему зерен.