RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1990, том 60, выпуск 9, страницы 107–111 (Mi jtf3989)

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Электронная эмиссия галогенидов цезия под действием ультрамягкой рентгеновской радиации

А. X. Аусмеэс, В. Ф. Костюченко, Э. Э. Ныммисте, А. М. -Э. Саар, А. Э. Тынисоо, М. А. Эланго


Аннотация: Измерены спектры поглощения и токового, и импульсного квантовых выходов CsI, GsBr и CsCl в области энергий фотонов 70$-$140 эВ. Показано, что высокие значения квантовых выходов являются предпосылкой использования указанных веществ в приемниках ультрамягкого рентгеновского излучения. Средняя глубина выхода электронов составляет около 30 нм для CsCl, 40 нм для CsI и 50 нм для CsBr, но несколько зависит от энергии падающих фотонов.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024