Математическое моделирование радиационных повреждений полупроводниковых материалов

Создана монте-карловская модель межъядерного каскада, имитирующая радиационные повреждения (сбои) в полупроводниковых элементах, находящихся в полях высокоэнергетических протонов и ядер. На примере кремниевой полупроводниковой микросхемы, облучаемой протонами и ионами углерода с энергией 3.65 ГэВ/нуклон, изучаются вероятность, выделения определенного количества радиационной энергии в его отдельной ячейке и ее зависимость от типа ионизирующей компоненты каскадной лавины.
Вычисленная таким образом вероятность и экспериментально измеренная характеристика частоты сбоев ячейки в зависимости от величины выделившейся в ней энергии позволяют оценить временную зависимость радиационных отказов электронных устройств.