Кинетическая модель рекомбинационных лазеров на переходах атома
ксенона. I. Механизм генерации и параметры плазмы
А. М. Воинов, С. П. Мельников, А. А. Синянский
Аннотация:
Выполнен анализ кинетики плазменных процессов в ИК лазерах
на переходах $5d{-}6p$ атома Xe. Проведены расчеты
концентраций компонент плазмы и скоростей образования возбужденных атомов
ксенона для смесей He$-$Xe, Ar$-$Xe, возбуждаемых осколками деления урана.
Показано, что основным каналом заселения уровней $5d$ является
диссоциативная рекомбинация молекулярных ионов Xe$_{2}^{+}$ с электронами.