Электрожидкостная эпитаксия: новый подход к управлению составом эпитаксиальных слоев твердых растворов соединений A$^{3}$B$^{5}$

Рассматривается новый подход к управлению составом выращиваемых эпитаксиальных слоев твердых растворов, основанный на контролируемой подпитке жидкой фазы отдельным элементом с использованием электрического тока. Приводятся результаты по выращиванию данным способом эпитаксиальных слоев InAs и варизонных структур InAs$_{1-x}$P$_{x}$ (${x\leqslant0.07}$) с увеличивающейся к поверхности пленки шириной запрещенной зоны при подпитке жидкой фазы мышьяком и фосфором. Методом рентгеноспектрального микроанализа определен профиль распределения компонентов по толщине пленок твердого раствора. Получены и проанализированы зависимости толщины слоев InAs и InAs$_{1-x}$P$_{x}$ от плотности электрического тока и времени его пропускания. На основании сравнения расчетных и экспериментальных данных вычислено значение ${\mu_{\text{As}}\rho_{\text{In$-$As}}=3.5\cdot10^{-7}\,\text{см}^{3}/\text{с}\cdot\text{А}}$ при ${T_{0}= 550^{\circ}}$С. Исследованы сколы структур InAs$-$InAs$_{1-x}$P$_{x}$ и морфология поверхности слоев InAs$_{1-x}$P$_{x}$, полученных при разных режимах роста. Установлено, что при постоянном значении плотности электрического тока с увеличением времени роста происходит относительное ухудшение качества поверхности пленок InAs$_{1-x}$P$_{x}$.