Электронно-микроскопические исследования ЖФЭ структур InGaAsP/InGaP/GaAs с тонкими (${<10}$ нм) слоями

Исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) двойные гетероструктуры InGaAsP/InGaP с тонкими (${<10}$ нм) слоями четверного твердого раствора, полученными осаждением на движущуюся подложку в условиях преднамеренного ограничения конвективных течений, инициируемых в растворе-расплаве. Электронно-микроскопические исследования проводились методами темного поля (ТП) в рефлексе 002 и высокого разрешения (ВР). Рассмотрены вопросы возникновения контраста на ТП микроизображениях и показано, что денситометрироваиие негативов таких изображений позволяет получать детальные сведения о толщинах ультратонких слоев, ширине переходных областей между отдельными слоями. Результаты исследований показали, что преднамеренное подавление конвективных потоков, инициируемых в расплаве перемещением подложки, позволяет выращивать на подложках GaAs (111) слои $\text{In}_{x}\text{Ga}_{1-x}\text{As}_{y}\text{P}_{1-y}$ толщиной до 3 нм. При этом структуры обладали хорошим кристаллическим совершенством и планарностью, а протяженность переходных областей на границах раздела In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$_{y}$P$_{1-y}$/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P и In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P/GaAs не превышала 1 нм.