Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm

Методами рентгеноструктурного анализа и спектроскопии фотолюминесценции проведены исследования выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для активных областей лазеров спектрального диапазона 1300 nm. Показано, что созданные гетероструктуры обладают высоким кристаллическим совершенством. Величина рассогласования средней постоянной кристаллической решетки сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs относительно постоянной кристаллической решетки подложки InP оценена на уровне $\sim$+0.01%. Анализ спектров фотолюминесценции позволил сделать вывод о том, что в исследованном диапазоне уровней накачки вклад оже-рекомбинации несущественен. Исследования вертикально-излучающих лазеров с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs позволили для стандартной логарифмической аппроксимации зависимости усиления от плотности тока накачки оценить параметр усиления на уровне 650 cm$^{-1}$. При умеренных температурах (20 – 60$^\circ$C) плотность тока прозрачности лазеров лежит в диапазоне 400 – 630 A/cm$^{2}$, что сопоставимо с опубликованными результатами для активных областей на основе InAlGaAs–InP КЯ и сильнонапряженных квантовых ям InGaAsN–GaAs спектрального диапазона 1300 nm.