Слои кремния, гиперпересыщенные теллуром, для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов

Методом ионной имплантации с последующим импульсным лазерным отжигом сформированы слои кремния, легированные теллуром, до концентраций (3–5)$\cdot$10$^{20}$ cm$^{-3}$. Показано, что 70–90% внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои Si, гиперпересыщенные теллуром, обеспечивают существенное поглощение как в видимом диапазоне, так и в области длин волн 1100–2500 nm (35–65%), причем коэффициент поглощения увеличивается с ростом длины волны. Приведены и обсуждаются вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики, а также фоточувствительность фотодетекторов на слоях кремния, легированного теллуром. Рассмотрена специфика остаточных дефектов структуры в легированных слоях Si на основе данных нестационарной спектроскопии глубоких уровней.