Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, “GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей”, ЖТФ, 2021, том 91, выпуск 11,страницы 1727

Твердотельная электроника

GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей

Д. В. Гуляев^a, Д. В. Дмитриев^a, Н. В. Фатеев^a, Д. Ю. Протасов^ab, А. С. Кожухов^a, К. С. Журавлев^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Определен внутренний квантовый выход люминесценции GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктур для инфракрасных светодиодов. Исследовано влияние ростовых условий гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и пост-ростового отжига на квантовый выход гетероструктур. Показано, что совокупной оптимизацией данных процессов удается повысить квантовый выход люминесценции исследуемых гетероструктур до 75–80% при умеренной мощности накачки.

Ключевые слова: гетероструктуры, кельвиновская зондовая микроскопия, молекулярно-лучевая эпитаксия.

Поступила в редакцию: 12.05.2021
Исправленный вариант: 28.06.2021
Принята в печать: 01.07.2021

DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51535.142-21