RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2021, том 91, выпуск 11, страницы 1799–1808 (Mi jtf4909)

Физические приборы и методы эксперимента

Высокочувствительная экспрессная нелинейно-оптическая диагностика кристаллического состояния гетероструктур типа сфалерита

М. Ф. Ступакab, Н. Н. Михайловcb, С. А. Дворецкийcd, С. Н. Макаровa, А. Г. Елесинa, А. Г. Верхоглядa

a Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
d Томский политехнический университет

Аннотация: Представлены характеристики высокочувствительного экспрессного стенда нелинейно-оптической диагностики кристаллических структур типа сфалерита с помощью генерации второй гармоники. Проведен анализ возможностей количественной и качественной характеризации особенностей кристаллических параметров слоев гетероэпитаксиальных структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложках из GaAs с ориентацией (013). Получены результаты по отклонениям ориентации в слоях от ориентации подложки, возникшим при эпитаксии, по определению существования напряжений. Высокая чувствительность стенда позволила выявить наличие/отсутствие микроучастков с разупорядоченной кристаллической структурой. Приведены экспериментальные результаты обратимой модификации in situ кристаллического состояния структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при кратковременном локальном лучевом воздействии лазерного излучения повышенной мощности. Приведены новые экспериментальные данные, показывающие, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости $\chi_{xyz}(\omega)$ кристаллической гетероструктуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te зависят от состава и на порядок превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.

Ключевые слова: кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, тензор нелинейной восприимчивости, напряжения, микроучастки, лучевой нагрев, гетероструктуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te.

Поступила в редакцию: 13.02.2021
Исправленный вариант: 16.05.2021
Принята в печать: 11.06.2021

DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51546.34-21



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024