Аннотация:
Представлены характеристики высокочувствительного экспрессного стенда нелинейно-оптической диагностики кристаллических структур типа сфалерита с помощью генерации второй гармоники. Проведен анализ возможностей количественной и качественной характеризации особенностей кристаллических параметров слоев гетероэпитаксиальных структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложках из GaAs с ориентацией (013). Получены результаты по отклонениям ориентации в слоях от ориентации подложки, возникшим при эпитаксии, по определению существования напряжений. Высокая чувствительность стенда позволила выявить наличие/отсутствие микроучастков с разупорядоченной кристаллической структурой. Приведены экспериментальные результаты обратимой модификации in situ кристаллического состояния структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при кратковременном локальном лучевом воздействии лазерного излучения повышенной мощности. Приведены новые экспериментальные данные, показывающие, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости $\chi_{xyz}(\omega)$ кристаллической гетероструктуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te зависят от состава и на порядок превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.
Ключевые слова:кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, тензор нелинейной восприимчивости, напряжения, микроучастки, лучевой нагрев, гетероструктуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te.
Поступила в редакцию: 13.02.2021 Исправленный вариант: 16.05.2021 Принята в печать: 11.06.2021