Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni

Экспериментально изучен эффект резистивного переключения отдельных ферромагнитных филаментов мемристорных структур на основе функциональных слоев ZrO$_{2}$(Y)/Ni. В качестве верхнего прижимного электрода виртуальной мемристорной структуры выступал проводящий зонд атомно-силового микроскопа. Обнаруженные особенности резистивного переключения биполярного типа связаны c разрушением и восстановлением филаментов, содержащих атомы Ni, в диэлектрической пленке ZrO$_{2}$(Y) и предположительно обусловлены разной степенью металлизации филамента. Сформированные филаменты проявляются на изображениях, полученных с помощью магнитно-силовой микроскопии, как однодоменные ферромагнитные частицы.