Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке

Произведена оценка радиационной стойкости к гамма-облучению различных уровней доз (0.5, 2, 10 kGy) источника субтерагерцового излучения из гетеродина на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке GaAs/AlAs. Разработана и изготовлена измерительная камера для изучения радиационной стойкости диодов Ганна. Аналитически оценена зависимость выходной мощности от частоты субтерагерцового источника излучения до и после облучения.