Эта публикация цитируется в
7 статьях
XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Н. Новгород, 9--12 марта 2021 г.
Физика низкоразмерных структур
Формирование наноструктурированных пленок MoS$_{2}$, WS$_{2}$, MoO$_{2}$ и гетероструктур на их основе
А. Б. Логиновa,
Р. Р. Исмагиловa,
С. Н. Бокова-Сирошb,
И. В. Божьевac,
Е. Д. Образцоваb,
Б. А. Логиновd,
А. Н. Образцовae a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
c Центр квантовых технологий МГУ им. М. В. Ломоносова
d Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
e University of Eastern Finland, Department of Physics and Mathematics,
80101 Joensuu, Finland
Аннотация:
Синтезированы тонкопленочные покрытия из двумерных материалов WS
$_{2}$, MoS
$_{2}$, MoO
$_{2}$ и композитов на их основе, исследованы морфологические и структурные свойства осаждаемых покрытий. Получение пленок производилось методом осаждения из газовой фазы с использованием порошкообразных прекурсоров MoO
$_{3}$, WO
$_{3}$ и S. Определены зависимости структурно-морфологических свойств, химического состава получаемых пленок от параметров процесса осаждения. Среди прочих получены пленки, состоящие из вертикально ориентированных пластин как из чистого MoO
$_{2}$, так и из MoO
$_{2}$, покрытого тонким слоем MoS
$_{2}$, поликристаллические пленки, состоящие из кристаллитов WS
$_{2}$ правильной треугольной формы, а также однородные сплошные пленки WS
$_{2}$ толщиной порядка 20 nm с площадью покрытия порядка 2
$\times$ 2 mm. Были получены также пленки, состоящие из наложенных друг на друга кристаллитов WS
$_{2}$ правильной треугольной формы и кристаллитов MoS
$_{2}$ без правильной огранки.
Ключевые слова:
двумерные материалы, дихалькогениды переходных металлов, гетероструктуры, АСМ.
Поступила в редакцию: 06.04.2021
Исправленный вариант: 06.04.2021
Принята в печать: 06.04.2021
DOI:
10.21883/JTF.2021.10.51364.102-21